聯穎光電股價多少?聯穎光電股票交流最佳選擇

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聯穎光電股價參考

聯穎光電未上市新聞整理

聯電第三代半導體布局有成 旗下聯穎上半年已賺贏去年全年

鉅亨網記者林薏茹 台北2022/08/16 13:10

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，近年來積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年第二季已連續 5 季獲利且逐季成長，上半年已賺贏去年全年。

聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年全年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連續 3 季衝破 3 億元大關，且逐季成長。

聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，技術囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造，終端產品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正進行技術平台建置，完成後會將平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。也傳聯電為擴大第三代半導體布局，將搶進難度更高的 8 吋晶圓第三代半導體製造領域，下半年相關機台將陸續進駐廠區，並將投入碳化矽製程開發。

聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

台積電投資美手筆之大！但為何華府眼中 宏捷科及聯穎幾乎與台積一樣重要？

2022-05-18 11:17 聯合新聞網／今周刊

【文．劉煥彥】

過去幾年美國與中國角力，從貿易戰一路升級至科技戰，半導體儼然成為台美關係更緊密的合作領域。

但在台積電之外，美方關注台灣半導體產業的焦點已擴展至其他本土供應鏈。美國在台協會（AIT）與經濟部4月底合辦的「臺美合作提升全球半導體供應鏈韌性座談會」，就邀來台積電重要供應商均豪（5443）及帆宣（6196）高層出席。

美方希望台灣半導體業者赴美設廠，部分是出於國家安全考量，主因是5奈米以下的先進製程，全球只掌握在台積電及南韓三星兩大廠手中，且產能都在亞洲。

更重要的是，美國需要的軍事或航太用途晶片，愈來愈多用到砷化鎵（GaAs）或氮化鎵（GaN）等化合物半導體。以專門做砷化鎵的利基型晶圓代工廠來說，穩懋（3105）、宏捷科（8086）及聯穎（3550）等三家台廠，在全球砷化鎵代工營收佔比合計超過九成。

換句話說，若從美方的國安角度考量，台灣半導體產業對美國的重要性，不只是掌握先進製程的台積電，更包括這些利基型的晶圓代工業者。

台積電年初才宣布　今年資本支出上看440億美元新高

2020年5月台積電宣布，預計從2021年至2029年投資約120億美元（約3600億台幣），在美國亞利桑納州建立先進晶圓廠。

若以120億美元來看，已經直逼美國海軍最新型的福特級核子動力航空母艦造價133億美元。

今年1月台積電才宣布，2022年資本支出最高將躍升至440億美元（約1兆3200億台幣），再創新高。

美國國會審議中的晶片法案（CHIPS Act），資金規模是520億美元，而台積以一家公司之力，就準備投入440億美元，讓華府不少專家印象深刻。

化合物半導體適合航太+軍事用途　原來是台廠利基

在台積電之外，台灣專門做化合物半導體的晶圓代工廠，同樣進入美方的關注視野。

與美國共和黨前國安團隊關係密切的華府智庫2049計畫研究所，去年11月曾由計畫副主任Eric Lee在知名國際關係主題網站The Diplomat撰文，題目是「台灣如何撐起了美國國防工業」，主要剖析美國國防工業需要的先進半導體，原來大半由台灣生產。

文章中指出，使用砷化鎵或氮化鎵等化合物半導體的晶片，最常出現在軍用規格的用途，例如射頻IC（RFIC）及單晶微波積體電路（MMIC）就運用在許多航太及軍用領域，從電磁頻譜作戰、信號情報、軍用通訊、太空作業、雷達及電子干擾都有。

不僅如此，台灣可說是執全球化合物半導體生產的牛耳。

舉例來說，若以全世界純粹砷化鎵晶圓代工的營收市佔率來看，穩懋半導體以79.2%高居第一，宏捷科以8.6%居次，加州的GCS（環宇-KY，4991）以4.2%排第三，聯穎光電則以3.4%排第四位。

若不計GCS，其餘三家台廠的市占率合計超過90%。

新世代武器需要太多先進半導體　從FPGA、CPU到GPU都是

文章中提到，雷神（Raytheon）及諾斯洛普格魯曼（Northrop Grumman）等美國主要國防工業製造商，確實有自家的軍用晶片工廠，但隨著武器系統用到的先進晶片愈來愈多，這些美國大廠未來可能得仰賴台廠生產化合物半導體的晶片。

其次，從雷達、新世代戰鬥機到彈道飛彈，新型武器系統用到的商用晶片也愈來愈多，例如以先進製程生產的FPGA（現場可程式化邏輯閘陣列）晶片、中央處理器（CPU）、繪圖處理器（GPU）或記憶體，如今大多都不在美國本土生產，反而台灣已經是生產重鎮，特別是台積電。

但華府另一家知名智庫CSIS警告，就因為台灣在全球半導體供應鏈的地位太重要，若台海發生戰事，對全世界經濟的打擊將無法估計。

「若台海發生戰事，對全世界經濟的打擊無法估計」

CSIS在今年3月一篇分析文指出，以2月爆發的烏克蘭戰事為例，在開戰前美國半導體業使用的純氖氣，高達90%是由少數幾家烏克蘭廠商提供，導致戰爭開打後大家拼命尋找替代來源。

但對幾家半導體大廠來說，早在2014年俄羅斯兼併克里米亞後，業界就已經準備應付這種狀況，因此得以分散供應來源，並建立一定庫存。

魏哲家提別提到「氖氣和氙氣」

今年4月中台積電總裁魏哲家在線上法說會回答法人提問時就表示，「在原料供應方面，台積策略是持續開發多源供應方案，以建立多元的全球供應商基礎，並完善在地供應鏈。對於特殊化學品和氣體，包括氖氣和氙氣」。

「我們向不同地區的多家供應商進行採購，並準備了一定水準的庫存量。」

但CSIS指出，以台灣在半導體市場的獨霸地位來看，不論業界如何預先準備，若中國入侵台灣，都不足以讓全球經濟免於台灣晶片生產中斷的影響。

「美國及盟邦決策高層設法不讓經濟受到這場潛在衝突的影響，但也需要在愈來愈不確定的國際安全環境下，共同處理供應鏈韌性的策略問題。」

〈半導體展開展〉聯電加速化合物半導體布局 與IMEC合作明年推技術平台

鉅亨網記者林薏茹 台北2021/12/28 16:57

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 積極加速化合物半導體布局，看好需求前景，與持股約 8 成子公司聯穎光電共同成立技術平台，並與比利時微電子研究中心 (IMEC) 進行技術研發合作，初期以 6 吋 GaN(氮化鎵) 製程切入，明年就會有客戶開始設計導入。

聯電協理鄭子銘今日出席 SEMICON Taiwan 2021 化合物半導體特展的「SEMI Talks 領袖對談」，會後受訪時表示，目前 GaN 整體解決方案提供者較少，正在進行技術平台建置，完成後會把平台開放給設計公司進來使用。

鄭子銘指出，該平台主要應用包括電力電子、射頻、微波等，明年將提供驅動 IC 客戶設計導入，初期以 GaN 切入，到一定成熟度後，再開始著墨 SiC，未來也有機會由 6 吋往 8 吋走。

聯電財務長劉啟東也說明，該平台透過聯電的研發攜手聯穎合作，主導者是聯穎，研發則是雙方共同合作。

聯電第三代半導體佈局報佳音 旗下聯穎Q3獲利大增5倍、傳產能爆滿擬擴產

鉅亨網記者林薏茹 台北2021/11/14 14:02

聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來傳產能均維持滿載，第三季獲利更較第二季大增 5 倍，帶動營運轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。

聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元，其中第二季獲利約 4000 萬元，翻開聯電財報，前三季累計純益已達 1.88 億元，相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元，純益季增 5.23 倍，獲利能力大幅提升。

聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損，產能利用率也不佳，但業界傳出，去年下半年以來，晶圓代工市況轉佳，在客戶需求大增下，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉盈；不過，今年第一季因打消一批貨品認列虧損，導致營運再度轉虧。

市場也傳出，由於產能持續爆滿，加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求，聯穎光電擬辦理現增籌資，擴增產能，明年產能可望較今年翻倍成長。

聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

《半導體》晶焱 全球市占坐三望二

2022年1月12日·2 分鐘 (閱讀時間)

【時報-台北電】靜電防護晶片（ESD）廠晶焱（6411）在2021年第四季及全年營收順利創下新高後，2022年隨著新產能挹注，業績有望持續衝高。

法人圈傳出，晶焱2022年將首度在力積電8吋晶圓投片，且獲得聯電旗下6吋廠聯穎光電產能支援，將全力搶攻USB 4、車用市場，2022年全球市占率將可望坐三望二。

晶焱2021年12月合併營收達3.83億元、月成長3.6％，創下單月歷史次高，推動第四季合併營收季成長12.5％至11.85億元，寫下單季新高表現，累計2021年全年合併營收達41.42億元、年成長29.9％同締新猷。

法人指出，晶焱2021年下半年成功獲得晶圓代工產能支援，加上客戶同樣轉嫁增加成本，因此使晶焱下半年合併營收開始明顯成長，且第四季在客戶拉貨動能續旺情況下，使合併營收達到淡季不淡水準。

進入2022年後，法人圈傳出，晶焱將可望首度獲得力積電8吋晶圓投片，雖然初期投片量有限，大約僅200～300片等小量規模，不過後續有機會持續獲得力積電8吋晶圓產能擴大支援，目標是每月2,000片規模。

不僅如此，聯電旗下的6吋晶圓廠聯穎光電也對晶焱產能提供奧援，法人指出，目前聯穎光電每月提供給晶焱大約兩萬片的6吋晶圓規模，加上力積電提供的8吋產能晶圓，晶焱將可望擴大供貨給車用及USB 4等相關客戶，使ESD晶片出貨動能在2022年將可明顯攀升，市占率有機會坐二望三。

據了解，晶焱在2021年受惠遠端商機，使ESD晶片獲得客戶在USB控制IC、HDMI及行動周邊零組件等終端應用擴大導入訂單，且進入2022年還可望受惠於USB 4、PCIe Gen4／5等高速傳輸介面滲透率提升，加大晶焱ESD晶片出貨動能。

整體來看，法人看好，晶焱在2022年營運將有機會在市場需求續旺，加上晶圓代工產能奧援情況下，推動單季業績呈現逐季成長規模，全年業績將有機會繳出優於2021年的成績單，代表將再改寫新高表現。(新聞來源 : 工商時報一蘇嘉維／台北報導)

《科技》台灣半導體展 創新材料震撼眼球

2021年12月29日·2 分鐘 (閱讀時間)

【時報-台北電】由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）28日登場，共涵蓋逾2,150個展位，其中化合物半導體特展更為全台規模最大，攤位數量相較去年成長11％。

SEMI表示，透過完整展示氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）創新材料應用，化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。

半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」，邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者，針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。

SEMI表示，在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統，促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動台灣產業布局。

SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20％至70億美元並創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。

在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合，期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後，化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。

聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角，在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。

聯電協理鄭子銘表示，台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。

漢磊副總張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊看好未來寬能隙半導體市場，積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來，將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。(新聞來源 : 工商時報一涂志豪／台北報導)

聯電子公司產能爆滿 這檔同名股票鎖漲停 散戶堅決不認錯

15:552021/11/15 中時新聞網 曹逸雯

又有散戶買錯股票了？聯電子公司聯穎光電積極投入第三類半導體製程，市場傳出今年以來產能滿載，帶動營運轉盈，不過，同名的台股連接線廠聯穎(3550)今(15日)開盤即跳空開高，一路漲停鎖死，網友在PTT股板討論，應該是「買錯多」，但也有網友質疑「剛好這麼多人買錯的機率有多高？」。

聯穎光電成立於2010年，座落於新竹科學園區，為竹科第一座6英吋砷化鎵純晶圓代工廠，有媒體報導，聯電旗下聯穎光電第3季獲利較第2季大增5倍，市場傳聯穎擬現增擴產，明年產能將可望翻倍，後市可期，不過，因聯穎光電尚未掛牌，可能有散戶將電子零組件廠聯穎科技誤認為聯穎光電，發生像之前有投資人誤將聯亞科技誤以為聯亞生技的情況。

聯穎今股價跳空亮燈漲停，即有網友在PTT留言表示，「聯穎竟然真的漲停 XD」、「買錯多，應該明天就…」、「原來是同名，難怪獲利對不起來」、「看到聯穎漲停只覺得很好笑 我記得看資料明明還沒上市」、「同名系列真的永遠玩不完XD」。

也有網友不以為然，質疑「剛好這麼多人買錯的機率有多高？還是有什麼消息？」。

聯穎今日開盤即亮燈漲停來到18.95元，成交量有2255張，較5日均量996張、10日均量721張多出不少。

搶攻化合物半導體市場 四大陣營整軍備戰

工商時報 涂志豪 2021.10.18

隨著歐盟及美國在政策上加速電動車轉型，加上能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長，氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等寬能隙材料的第三代化合物半導體市場進入成長爆發期，包括台積電、聯電、中美晶、漢民等四大陣營早已布局多年且蓄勢待發，全力搶攻GaN及SiC龐大晶圓代工商機。

台積電早在2015年就已著手布建矽基氮化鎵（GaN on Si）技術及產能，近年已進入量產階段，除了與意法半導體合作生產車用GaN功率元件與IC，包括Navitas及GaN Systems亦在台積電投片生產100V及650V高壓功率元件。台積電今年已投入第二代GaN增強型高電子移動率電晶體（E-HEMT）量產，100V空乏型高電子移動率電晶體（D-HEMT）進入試產，並打進5G基地台模式供應鏈。

台積電目前有將近20台MOCVD有機氣相層機投入GaN量產，明年預計再增加10台設備擴產。而台積電轉投資世界先進近幾年在8吋GaN on Si研發順利進行，今年底將開始試產送樣，進行產品設計客戶超過10家，明年可望進入量產階段，業界傳出已爭取到國際IDM大廠訂單。

聯電將旗下6吋廠作價給轉投資的聯穎光電，投入功率元件及砷化鎵（GaAs）晶圓代工，而聯電目前著手進行GaN on Si技術開發，未來聯穎會是主要生產基地，且未來會考慮提供8吋晶圓代工。相較於其它陣營，聯電重視生產鏈前後段整合，日前與頎邦換股結盟，將生產線延伸到GaN晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）等代工市場。

中美晶集團在GaN及SiC領域著重上下游垂直整合，環球晶6吋SiC磊晶基板年底月產能可達5,000片，6吋GaN on Si磊晶基板已開出每月2,000片產能，難度最高的4吋GaN on SiC磊晶基板已小量出貨，6吋產能將在明年開出。中美晶轉投資宏捷科扮演晶圓代工要角，已投入GaN on Si及GaN on SiC技術開發及產能布建。至於朋程則投入SiC MOSFET功率元件設計，明年下半年可望延伸產品線到電動車應用。

漢民集團旗下漢磊及嘉晶在GaN及SiC布局多年有成，頻藉與國際IDM廠多年合作關係，近年來已陸續完成產能布建並進入量產。漢磊與特定客戶合作開發0.5微米的30V～350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN E-HEMT製程已進入量產，4吋SiC蕭特基二極體及SiC MOSFET進入量產，6吋SiC晶圓代工將在明年開始量產。嘉晶則是國內唯一擁有量產GaN與SiC磊晶基板的供應商。

MOSFET缺貨、6吋廠接單滿手 聯穎光電、漢磊飆漲

2021/08/31 05:30

〔記者洪友芳／新竹報導〕MOSFET（金氧半場效電晶體）、二極體等分離式元件供不應求，帶動晶圓代工6吋廠接單滿手，除了茂矽（2342）、漢磊（3707）、元隆（6287）等產能全數滿載外，聯電轉手給旗下轉投資的聯穎光電6吋廠產能也爆滿，今年可望延續去年繳出獲利成績單，而漢磊與聯穎光電更挾亦發展熱門化合物半導體，上櫃及未上市股價更是水漲船高。

下半年可望逐季漲價

半導體業界指出，疫情帶動遠距需求激增，加上5G發展，使得市場對高速運算、人工智慧、物聯網與車用電子需求持續增加，晶圓廠產能供不應求，從8吋廠滿載外溢到6吋廠；國際整合元件（IDM）廠又優先支援車用晶片，加上近期馬來西亞疫情轉趨嚴峻，IDM廠無法正常生產營運，使得MOSFET、二極體等分離式元件產能缺口拉大，各家6吋廠紛紛被客戶追產能。

茂矽向董事會提擴產計畫

茂矽、漢磊、元隆等產能全數滿載，茂矽上半年轉虧為盈，漢磊、元隆則第2季轉為獲利；市場預期，以目前市況供不應求來看，下半年可望延續上半年逐季調漲價格的走勢，這將有利於各家6吋廠持續獲利。

茂矽指出，公司評估產能不足，已向董事會提出擴產計畫，但現今設備難覓是一大問題。

業界也指出，聯電多年前將旗下6吋廠作價4億多元轉給轉投資的聯穎光電，原本6吋廠呈現虧損、產能利用率也不佳，但從去年下半年以來，月產能4萬多片持續爆滿，帶動營運轉虧為盈；聯電持股聯穎光電89%，去年財報認列投資獲利5600多萬元。

漢磊股價水漲船高

聯穎光電6吋廠生產CMOS製程的二極體、MOSFET外，也生產砷化鎵、濾波器等，身負聯電布局化合物半導體的研發廠區，挾發展熱門化合物半導體的利多題材，聯穎光電近期在未上市股價已超過70元，與漢磊同為6吋廠股價飆漲股。

《半導體》頎邦結盟聯電效益有限 外資降評砍價

11:212021-09-07 時報資訊

【時報記者林資傑台北報導】驅動IC封測廠頎邦(6147)宣布將與晶圓代工廠聯電(2303)換股策略結盟，惟歐系外資出具最新報告，認為雙方在面板驅動IC（DDIC）和射頻（RF）的結盟效應有限，且股本膨脹將稀釋獲利表現，將評等自「優於大盤」調降至「中立」、目標價自100元調降至87元。

　頎邦股價昨（6）日開高衝上88.3元新高，但後因賣壓出籠反收黑下跌3.82％，受外資降評砍價、投顧法人同步中立看待短期營運影響，今（7）日開低挫跌5.26％至73.9元，在封測族群中表現偏弱。三大法人昨日同步調節賣超達1萬2471張。

歐系外資表示，頎邦認為與聯電換股結盟，中期將使公司面板驅動IC和射頻後段封測業務受惠。但面板驅動IC的後段封測訂單並非晶圓代工廠主導分配，且目前已是由頎邦及南茂雙雄主導的寡占市場，因此不會顯著改變整體競爭格局。

　射頻業務方面，歐系外資亦認為，由於聯電及聯穎光電的射頻業務和規模遠低於領先的IDM廠和穩懋、宏捷科等其他化合物晶圓代工廠，認為頎邦與聯電在砷化鎵（GaAS）及第三代氮化鎵（GaN）射頻業務的策略結盟，將需要更長時間才能看到有意義的貢獻。

　不過，歐系外資認為，聯穎光電向來最大客戶－中國大陸射頻業者卓勝微電子密切合作，可能為頎邦射頻業務帶來一些成長契機，將取決於卓勝微電子對濾波器、開關、功率放大器等射頻元件自打線封裝轉向凸塊（Bumping）封裝的時程規畫。

　考量第三季較高的業外收益及漲價帶動定價轉佳，歐系外資將頎邦今年每股盈餘（EPS）預期調升1％，但效益將被股本膨脹抵銷，將2022～2023年每股盈餘預期調降5～9％，考量與聯電換股結盟效益有限，將評等自「優於大盤」降至「中立」，目標價降至87元。

(時報資訊)

卓勝微新產品就位擴大與立積等對手搶市 聯穎光電受惠

中國大陸射頻元件龍頭卓勝微傳出推出適用於5G通信制式sub-6GHz的高頻產品和WiFi射頻模組產品，並打入華為、TPLink供應鏈，擴大和Qorvo、Skyworks、立積（4968）等競爭對手爭搶市場，且將成為聯電（2303）旗下GaAs代工廠聯穎光電的最大客戶。

卓勝微成立於2012年，在射頻開關領域占全球10%的市占率，現在已經是大陸國產射頻開關龍頭。從資料來看，卓勝微第1季營收有人民幣11.8億元，年成長162.4%；淨利有4.92億元，年增2.2倍。

據卓勝微對外表示，今年業績大幅成長，主要受惠於5G通信技術的發展，帶動射頻前端市場需求的快速增長。

市場傳出，卓勝微推出的WiFi FEM已開始擴大市占率，並順利打入華為、TPLink等客戶的供應鏈。

由於卓勝微的產品主要採用SOI、GaAs等製程和材料，市場傳出，該公司的SOI主要在聯電生產，GaAs則在聯電旗下聯穎光電和三安代勞；其中，自9月起，卓勝微將成為聯穎光電最大客戶。

法人認為，卓勝微新推出的Wi-Fi FEM將有機會陸續提高在中國大陸的市占率，與Qorvo、Skyworks、立積等Wi-Fi FEM 供應商爭搶市場，但聯穎光電將可受惠。

聯穎光電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場

晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產；台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

氮化鎵應用前景 台積電也認同 預期未來將廣泛、大量被使用

晶圓代工廠近來積極佈局半導體新材料 GaN(氮化鎵) 晶圓代工，台積電 (2330-TW) 總裁魏哲家在今年股東會上更表示，雖然目前還是小量生產中，但預計以後會廣泛、且大量被使用，相當看好未來氮化鎵應用前景。

台積電目前已小量提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務，650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平台，預計今年開發完成。今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的氮化鎵製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

魏哲家日前在股東會上則說，氮化鎵製程技術目前進展不錯，符合客戶要求，擁有高效能、高電壓等特性，但目前還是小量生產，預計未來將廣泛、且大量被使用。

除台積電外，世界先進 (5347-TW) 在氮化鎵材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資氮化鎵矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。

聯電 (2303-TW) 也同樣積極投入氮化鎵製程開發，攜手 6 吋砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎，佈局高效能電源功率元件市場。氮化鎵製程開發是聯電現有研發計畫中重點項目之一，目前仍處於研發階段，初期將以 6 吋為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎光電內鬼 盜賣機密給對岸

新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電澹姓研發工程師涉嫌出賣內部機密文件給大陸某高科技公司，根據了解，他所賣出的砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品資料，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備中，27日前往公司搜索並約談到案，依《營業秘密法》移送法辦。

近年大陸將砷化鎵及氮化鎵晶片研發列為經濟重點發展項目，計畫在北京、成都及福州等地建廠量產，不惜重金投資設備並挖角人才，部分當地不肖廠商甚至長時間在台部署商業間諜，有計畫地從外部收買或安排人員在標的企業任職以竊取營業秘密。

檢調去年11月追查穩懋案商業間諜案，後續查出聯穎光電澹姓研發工程師也與楊光宇合作，出賣聯穎光電內部機密文件，意圖竊取同類型營業秘密。

根據了解，聯穎光電生產砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備，為民間及軍方設備所不可或缺的零組件，相關技術受到管制不得輸出至大陸地區。

澹姓工程師擅自重製並提供內部技術資料及相關產品進度等資訊，給楊光宇在大陸工作時參考，獲取所需機密資料後，即給予數萬元不等報酬，桃市調處與新竹市調查站聯手偵辦，搜索澹姓工程師住家及公司電腦及其辦公桌資料。

1 杯咖啡，偷走億元砷化鎵關鍵技術

財訊》獨家取得美國 FBI 調查報告，掀開中國成都嘉石科技過去 8 年，如何在美、台兩地，用高位和高薪利誘工程師，突破美國高階通訊晶片的技術封鎖。間諜案中一個關鍵場景，竟在林口星巴克門市。

農曆年前的 2 月 3 日，一則少有人關注的新聞刊登在報紙上，標題寫著：「涉嫌出口軍事晶片到中國，台裔教授被拒保釋」，但熟悉內情的科技界人士都知道，這是一起橫跨美、中 、台三地半導體產業間諜案的關鍵轉折。

一家星巴克成技術突破口

林口的咖啡廳變交易大本營

事件主角是位於成都的嘉石科技（後更名為海威華芯），過去 8 年，他們在美國矽谷和台灣桃園布下了綿密的產業間諜網，不但造成台灣砷化鎵產業投資價值達 75 億元以上的研發成果，被嘉石科技輕易取得，還有可能讓中國取得生產先進軍用雷達關鍵元件的技術能力，改寫中美兩國之間的遊戲規則。更令人驚訝的是，中國突破美國設下的技術障礙，突破口之一，竟是位在新北市林口復興北路的一家小小星巴克門市。

故事從 2011 年開始談起。這一年，美國開始調查，中國中興通訊把美國禁止出售的通信設備賣給伊朗電信，根據美國司法部調查，為了繞過美國禁運的禁令，中興還特別組成一支 13 個人的小組美化財報，所有和伊朗案有關的電子郵件，每天都會自動被系統刪除。

中興為何如此戒慎恐懼？因為，中興雖然能賣電信系統，但其中和通信相關的晶片，卻全都由美國公司提供，通信晶片用的多半是化合物半導體，例如，一種稱為砷化鎵的技術，少了這種半導體技術，即使像中興這樣的中國國家隊企業，都做不出電信設備。

2010 年，一家叫嘉石科技（後改名為海威華芯）的公司在成都成立。嘉石原本只是一家 5 億元人民幣資本額的小公司，砷化鎵技術也遲遲沒有突破，但這家公司和中國官方關係深厚。嘉石總經理高能武，是中國電子科技集團公司（簡稱中電科）第二十九研究所的主任研究員，百度百科的資料寫明，中電科是直屬國務院的大型國企，「是軍工企業的國家隊」，從雷達方陣、衛星技術，甚至太空通訊用的電子系統都由二十九所負責開發。

台灣重量級專家在美被捕

石宇琦把 MMIC 技術賣給中國

《財訊》取得美國司法部引用 FBI 幹員的調查報告指出，從 2011 年開始，嘉石科技找到一個來自台灣的重量級專家石宇琦（Yi-Chi Shih）出任總裁（President）。石宇琦的經歷顯赫，他和美國軍方關係密切，根據《財訊》取得的訴狀，石宇琦曾在 1982 到 1984 年間擔任美國海軍研究生院（Naval Postgraduate School）電機系副教授。接著，他到美國大型軍火公司，負責單片氮化鉀微波集成電路晶片（MMIC）設計與開發。石宇琦確實是這方面的技術高手，因為 1997 年，他成立一家 MMCOMM 公司，開發先進的點對點通訊技術和雷達技術。2007 年，他再把這家公司賣給美國大型軍火商。從美國訴狀的內容可以看出，石宇琦 20 多年的職業生涯，大部分和美國軍火工業打交道。

沒想到，2018 年 1 月 19 日，石宇琦卻在美國被捕，罪名是涉嫌向中國出口受管制的敏感技術與晶片及跨國洗錢，最高可判 25 年重罪，關鍵就在於他把他最擅長的 MMIC 晶片賣到中國。

2010 年時，嘉石科技和成都雷電微力合作開發晶片，根據美國司法部訴狀指出，這兩家公司和西安兵器工業集團第 206 研究所合作，開發雷達用的晶片架構，兩家公司再成立一家叫成都嘉納海威的公司，負責生產石宇琦最擅長的 MMIC 晶片。成都雷電微力的總經理則叫陳亞平（Chen Yaping，音譯）。

2010 年，一筆 100 萬美元巨款從 Chinatrust（中國信託）銀行匯進石宇琦任總經理的 Pullman Lane 公司，陳亞平的名字反覆在匯款名單出現，特別的是，石宇琦一輩子在做晶片，他成立並親自經營的公司，登記的營業項目卻是「影片拍攝」，計劃進軍娛樂業。從訴狀中石宇琦往來的信件內容可以看出，他正打算透過在新加坡和北京的創投公司，和嘉石合作，再做一筆大生意。從 2010 年之後，他在美國、加拿大、香港布建了複雜的金流和人脈網，反覆刺探美國最尖端的半導體技術。

台廠技術早就被中資鎖定

一家成都公司不擇手段竊取營業祕密

最關鍵的一天，是 2013 年 12 月 26 日；這一天，石宇琦透過他能控制的影子公司，從美國最尖端的晶片公司，買下一批 MMIC 晶片；同一天，他花十幾萬美元製作完成的晶圓片，寄到加州的人頭手上，要買到這批晶片，必需不斷簽下保證不出口美國的同意書，但一收到晶片，他就透過電子郵件下令，用最快的速度，以 FedEx（聯邦快遞）寄到香港另一個人頭手上，報關項目只簡單填「玻璃樣品」並虛報商品價值只有 100 美元。信件寄到當天，香港的人頭就收到通知，會有人從北京將這批晶片帶走。透過石宇琦建立的網路，嘉石科技開始建立氮化鎵等尖端化合物半導體的製造能力。

設計是一回事，要能量產尖端的化合物半導體，仍然十分有挑戰性。2015 年，中國最大的飛機維修公司海特高新增資嘉石科技 5 億 1 千萬人民幣，準備量產化合物半導體晶圓，嘉石總經理高能武於是把目標指向台灣，希望補齊這塊技術缺憾的最後一片拼圖。

第一個關鍵人物，是台灣人楊光宇，他原本是台灣聯穎光電的研發經理，根據《自由時報》報導，楊光宇在 2013 年從聯穎離職後曾到嘉石工作。2015 年，高能武改聘楊光宇為顧問，並把他派回台灣，檢方認為，任務就是在台灣竊取量產砷化鎵的關鍵技術。

做砷化鎵晶圓並不容易，砷化鎵最頂尖的製程，就是 6 吋的砷化鎵晶圓，當時中國沒有任何一間公司能生產，就連台灣大廠穩懋都是咬牙苦撐，投資多年之後，才在 2007 年發展出量產技術，讓公司轉虧為盈，因而拿下全球頂尖半導體公司 Avago（安華高，後購併博通）的生產代工訂單。

台積電也爆內鬼洩密？工程師偷28奈米機密 跳槽大陸科技公司

台積電遭離職工程師於任職期間內，非法重製營業秘密案件，經新竹地檢署偵查終結提起公訴。起訴書指出，台積電公司吳姓工程師於任職期間即106年9月間，非法重製28奈米之重要製程相關文件，擬於106年12月份離職後，攜出至中國無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在中國使用非法重製營業秘密。

全案經檢方偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法意圖在大陸使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌，以及刑法背信罪嫌，將全案提起公訴。

起訴書指出，台積電吳姓工程師於106年9月任職期間，非法重製有關臺積電公司28奈米重要製程相關文件，擬於106年12月份自台積電離職後，攜出至大陸無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在大陸地區使用上開非法重製之營業秘密。

全案業經偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法第13條之2第1項、第13條之1第1項第2款之意圖在大陸地區使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌及刑法第342條第1項之背信罪嫌，對被告提起公訴。 

華潤集團在1997年成立華潤上華半導體，正式進軍半導體領域。隨後以購併方式擴大業務，目前擁有6吋及8吋晶圓代工廠，製程可達到0.11微米，服務消費電子的IC客戶。除代工外，華潤微電子也擁有自己的IC設計公司、封裝測試及分離式元件等半導體服務。

聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工

看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。

　　今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。

　　此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。未上市股票詢價0917-559-001陳先生r，也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。

　　聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。

　　聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。

聯電擬加碼投資聯穎光電

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